Products

Pokročilé HEXFET® Power MOSFETy od International Rectifier využívají pokročilé techniky zpracování

Konstrukce buněk s vysokou hustotou pro extrémně nízké RDS (zapnuto). Robustní a spolehlivý.

Bezolovnatá povrchová úprava / vyhovuje směrnici RoHS (přípona P označuje vyhovující směrnici RoHS.

Aplikace zahrnují funkci ZAP/VYP v aplikacích, jako jsou statická relé, regulace topení, spouštěcí

Planární pasivovaný čtyřkvadrantový triak v plastovém pouzdře SOT428 (DPAK) pro

Schopnost vysokého blokovacího napětí. Méně citlivá brána pro lepší odolnost proti hluku.

Sklopasivované tyristory v plastovém obalu, určené pro použití v aplikacích vyžadujících vysoké

Řada Z01 je vhodná pro všeobecné spínací aplikace střídavého proudu. Tato zařízení se obvykle

Epitaxní planární konstrukce matrice. Doplňkový typ PNP k dispozici MMBT2907A. Ultra{0}}malý

NPN epitaxní křemík, rovinné provedení.. Napětí kolektor-emitor VCE=40V.. Kolektorový proud

Vysoký kolektorový proud. (Ic = 500 mA). Doplněk k S9012. Vynikající linearita HFE. Ztrátový výkon.

S- Předpona pro automobilový průmysl a další aplikace vyžadující jedinečné požadavky na změnu místa