Tranzistor s efektem pole

• 2SK2225-E

  • Vysoké průrazné napětí (VDSS=1500 V) • Vysokorychlostní spínání • Nízký proud měniče • Bez

  Více
• IRFP4668

  Výhody Vylepšená odolnost brány, lavin a dynamického dV/dt Plně charakterizovaná kapacita a

  Více
• VIPER12A

  VIPer12A kombinuje vyhrazený PWM regulátor v proudovém režimu s vysokonapěťovým Power MOSFET na

  Více
• IRFHS9351TRPBF

  Nižší ztráty vedení Umožňují lepší odvod tepla Zvýšená hustota výkonu Snazší výroba Šetrnější k

  Více
• IRLML0030TRPBF

  Nižší spínací ztráty Kompatibilita s více výrobci Snazší výroba Šetrnost k životnímu prostředí

  Více
• Field Effect Tranzistor 2N7002ET1G

  2N7002ET1G je malý signálový MOSFET typu N-channel field effect tranzistor, vyznačující se nízkým

  Více
• RF Power LDMOS tranzistory MRFE6VP5300N

  MRFE6VP5300N jsou širokopásmové vysokofrekvenční výkonové tranzistory LDMOS v režimu laterálního

  Více
• Výkonový MOSFET Výkonový MOSFET

  STR2P3LLH6 je P-kanálový výkonový tranzistor MOSFET Field Effect. Toto zařízení je vhodné pro

  Více
• ISL9V3040S3ST

  ISL9V3040S3ST je EcoSPARKŠ 300 mJ, 400 V, N-Channel Ignition IGBT a je to také působivý MOSFET,

  Více
• IRF4905PBF

  IRF4905PBF MOSFET tranzistor je vysoce účinná elektronická součástka s ultra nízkým odporem při

  Více
• IRF3205STRLPBF

  IRF3205STRLPBF je výkonný MOSFET tranzistor, který se vyznačuje pokročilou procesní technologií,

  Více
• SVF4N60DTR

  SVF4N60DTR je výjimečný N-kanálový vylepšený tranzistor s efektem pole, který se může pochlubit

  Více