Tranzistor s efektem pole

• AUIRLS3034-7P

  Konkrétně navrženo pro automobilový průmysl aplikace % 2c toto HEXFET Power MOSFET

  Více
• AFT09MS031GNR1

  Navrženo pro mobilní obou{0}}rádiové aplikace s frekvencemi od 764 do 941 MHz. Díky vysokému zisku,

  Více
• K100E10N1

  Regulátory spínacího napětí

  Více
• NCEP02T10

  NCEP02T10 využívá technologii Super Trench, která je jedinečně optimalizována tak, aby poskytovala

  Více
• IXTQ82N25P

  Vlastnosti  Rychlý vnitřní usměrňovač  Lavinové hodnocení  Nízké RDS (ON) a QG  Nízká

  Více
• IRFU9024NPBF

  Pátá generace HEXFETů od International Rectifier využívá pokročilé techniky zpracování k dosažení

  Více
• FCD620N60ZF

  SuperFET II MOSFET je zbrusu nová řada vysokonapěťových super-junction (SJ) MOSFET společnosti

  Více
• BSS214NWH6327XTSA1

  • N-kanál • Režim vylepšení • Úroveň Super Logic (2,5 V) • Lavinové hodnocení • Kvalifikace podle

  Více
• 2N0609

  2N0609

  Více
• IRLML6401TRPBF

  • Bez halogenů Podle definice IEC 61249-2-21 • TrenchFET Power MOSFET • 100% Rg Testováno • V

  Více
• IRF1018ESTRLPBF

  Vylepšená odolnost Gate, Avalanche a Dynamicdv/dt Plně charakterizovaná kapacita a Avalanche SOA

  Více
• IRF9540NPBF

  Pátá generace HEXFETů od International Rectifier využívá pokročilé techniky zpracování k dosažení

  Více